IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), està compost per un MOS (transistor d'efecte de camp de porta aïllada) i un BJT (transistor bipolar). És un dispositiu semiconductor de potència accionat per tensió. IGBT pot ser un únic dispositiu discret o un mòdul, cada tipus amb la seva pròpia gamma d'aplicacions. A la indústria, s'utilitza en control de trànsit, conversió d'energia, motors industrials, font d'alimentació ininterrompuda UPS, equips d'energia eòlica i energia solar, convertidor de freqüència, etc. En electrònica de consum, s'utilitza en electrodomèstics, piles de càrrega, vehicles elèctrics. , eines elèctriques, etc.